Opis produktu
Nasz moduł pamięci RAM DDR3 o pojemności 8 GB o numerze artykułu BS-D3-8G-SO-1600-2RX8-L działa przy napięciu 1,35 V i 1,5 V oraz jest produkowany i testowany zgodnie z najwyższymi standardami jakości.
Częstotliwość pamięci wynosi 1600 MHz i jest wstecznie kompatybilna z 1333 MHz i 1066 MHz.
Marka BRAINZAP jest zarejestrowana w JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), a nasze moduły pamięci są w 100% zgodne ze specyfikacjami JEDEC. Moduł pamięci jest certyfikowany zgodnie ze specyfikacją JEDEC PC3L-12800S-11. Odpowiednie opóźnienie pamięci to CL11.
Moduł pamięci jest dwustronny (Dual-Rank 2Rx8) dla maksymalnej kompatybilności. Moduł pamięci jest niebuforowany i nieECC, dzięki czemu działa bez problemów w większości urządzeń.
Używamy tylko markowych chipów (najlepiej Samsung, Micron i SK Hynix). Na wszystkie nasze moduły pamięci udzielamy dożywotniej gwarancji. Więcej informacji na temat gwarancji można znaleźć w sekcji
- Nowa pamięć.
- Markowe chipy (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)
- Kompatybilne z większością notebooków z pamięcią DDR3.
- Przykładowy obraz. Wygląd może się różnić.
Szczegóły produktu
- EAN: 4262360570593
- Typ pamięci: DDR3 RAM
- Marka: BRAINZAP
- Modellnummer: BS-D3-8G-SO-1600-2RX8-L
- Kompatybilny z: Notebooki - Intel i AMD
- Częstotliwość pamięci: 1600 MHz
- Pojemność modułu: 8 GB
- Liczba modułów: 1
- Całkowita pojemność: 8 GB
- Speicher-Spezifikation: PC3L-12800S-11
- Standard JEDEC: PC3L-12800S
- Typ: SO DIMM 204-pin
- Niebuforowane: tak
- ECC: nie
- Zarejestrowane: nie
- Napięcie: 1,35 V
- Opóźnienie (CL): 11
- Układ pamięci: 2Rx8
Kraj Polska